碳化硅 市場 美國北卡羅來納州 商業同業公會 顏色分級 寶石鑒定 詐騙集團 光學效應 天然寶石 莫依桑...碳化硅 歐姆接觸 刻蝕成型 【摘要】:以碳化硅(SiC)材料為代表的第三代寬禁帶半導體材料具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速率等特點,特別

硅電力電子器件碳化硅功率二極管外延材料MOSFET單晶材料Si器件技術硅器件單晶襯底寬禁帶半導體...碳化硅襯底超精密加工技術 袁鐵軍 張紅蕾 張廣冬 【摘要】:通過對比不同的加工方法獲得工藝:切片采用多線切割或者多線切割與超聲切割相結合磨削采用雙面研磨獲得

碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題 作者:陳治明 關鍵詞:碳化硅,電力電子,器件 1引言 借助于微電子技術的長足發展,以硅器件為基礎的電力電子技術因大功率場效應...因此, 包 含微波電源在內的電力電子技術有可能從碳化硅材 料的實用化得到的好處, 不僅僅是使用碳化硅功 陳治明 男, 1945 年出生, 教授, 博士生

2.探索了碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管的HPM限幅方案,通過PSpice程序仿真,研究了其防護HPM的性能。仿真結果表明:微波限幅器使用SiC寬帶隙半導體材料后,在防護功率范圍和...而使反向漏電流大幅從 E期 陳治明 Z 碳化硅電力電子器件及其制造工藝新進展 C% E "$% 度下降 ! # " &') 與單純肖特基勢壘二極管一樣 $ 仍 (* 然是

作者: 陳治明,李守智著 出版社:機械工業出版社 版次:1 印次:1 印刷時間本書介紹碳化硅、氮化鎵和金剛石等寬禁帶半導體電力電子器件的原理、特性...蕈十一■士■他t阜●I、t毫件和走電件攀術◆戧 廣I蠢膏2∞6年11月 碳化硅單晶體的切片、研磨和拋光? 陳勇臻陳治明'西安理工大學電子工程系,西安710048

納米碳化硅 粉末電極 檢測 鉑催化劑 導電劑 石墨化 電化學 中國碩士學位論文全文數據庫 前1條 1 鄭志遠βSiC薄膜制備及特性研究[D]河北大學2002年...楊鶯 陳治明 陳勇臻 【摘要】:正碳化硅作為第三代寬禁帶半導體材料,由于其的性能,可用于制作工作在極限條件下的半導體器件和電路,例如在高頻、高溫、大功率等

碳化硅材料具有優越的電性能,如高的擊穿電場,高的電子飽和速度,大的熱導率使其在功率器件方面具有很大的潛力,近年來引起人們的高度關注。 本文將從材...但是,由于SiC制備難度大、成本高,市場上還沒有較為成熟的晶體生長工藝裝備。本封先鋒,陳治明,蒲紅斌, CN 被引量: 0 加載更多來源 西安理工大學

碳化硅材料少數載流子壽命層電阻新型產品低電阻開路電壓導通電阻日本大學終結構表面鈍化...本文是免費的與碳化硅表面高溫改性法熱場模擬有關的參考文獻和數篇碳化硅坩堝相關免費畢業論文范文及石墨板相關論文題目和石墨坩堝有關的開題報告寫作參考資料。

碳化硅 晶閘管 SilvacoTCAD 直流輸電 換流閥 PSCAD/EMTDC 損耗 終通過理論計算和仿真確定了40kV碳化硅晶閘管各層厚度與摻雜濃度,并對器件的靜態和動態特性進行...第33卷第6期 人工晶體學報 Vol.33 No.6 004年1月 JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALS December004 高分辨X射線衍射法研究碳化硅單晶片中的多型結構董 捷胡

內容包括:半導體物理基礎,電力電子器件的基本原理、特性及典型器件,電力電子器件的材料優選,碳化硅整流器、功率MOSFET、功率JFET和MESFET、BJT、SICGT、IGBT、碳化硅功率...碳化硅晶體生長設備的研制.pdf,西安理工大學 碩士學位論文 碳化硅晶體生長設備的研制 姓名:李留臣 申請學位級別:碩士 專業:電氣工程 指導教師:陳治明

西安理工大學碩士學位論文碳化硅晶體生長設備的研制姓名:李留臣申請學位級別:碩士專業:電氣工程指導教師:陳治明000101摘要摘要隨著信息化社會和現代科...陳治明 【摘要】:評述了各種碳化硅電力電子器件研究開發的進展及其發展前景,指出碳化硅的優勢不僅于能提高功率開關器件的電壓承受能力、高溫承受能力和兼顧頻率

電力電子IGBT器件的損耗分析及碳化硅器件介紹 南京信息工程大學 信息與控制學院 電氣[1]徐德鴻,陳治明,李永東,康永,阮新波編著.現代電力電子學[M]...關鍵詞: SiC晶片 線切割 研磨 拋光 作者: 陳勇臻 陳治明 作者單位: 西安理工大學電子工程系,西安,710048 母體文獻: 第十四屆全國化合物半導體材料

碳化硅 光發射器件 場效應晶體管 【摘要】:本文概述了寬禁帶半導體碳化硅的電學特性、結晶多型體和能帶結構,較全面地總結了碳化硅晶體的生長方法和薄膜制備工藝,并...7 SiC半導體材料與器件(1)田敬民《半導體》 8 SiC晶閘管的光觸發可行性劉文濤 陳治明《電力電子技術》 9 碳化硅門極可關斷晶閘管的研究進展周才能 岳瑞峰

碳化硅 遠紅外加熱 輻射能 遠紅外技術 硅元件 轉換效率 節電效果 電熱絲 升溫速率 節能新技術...碳化硅 機械拋光 化學機械拋光 表面質量 材料去除率 以碳化硅(SiC)單晶為代表的第三代半導體材料是一種重要的新型寬禁帶半導體材料,通過外延可以作為生長氮化鎵(GaN

【摘要】: 半絕緣SiC由于其寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和漂移速度、高熱導率等優良特性,使其非常適合作為大功率光導開關的基體材料。其中,4HSiC的臨界...6 方方李玲鈕應喜楊霏碳化硅表面懸掛鍵的性原理研究[A]第十七屆全國晶體生長與材料學術會議摘要集[C]2015年 7 陳治明碳化硅電力電子器件研發進

馮錫淇, 駱賓章 目錄 升華外延碳化硅pn結的性質 馮錫淇, 駱賓章 物理學報. 1980, 169(1): 110. doi: 10.7498/aps.29.1. 2607...六方碳化硅 電子輻照 深能級缺陷 正電子湮滅 5 楊鶯陳治明陳勇臻碳化硅晶體缺陷的研究[A]第十六屆全國半導體物理學術會議論文摘要集[C]2007年 6 張磊

【摘要】:碳化硅作為一種寬禁帶材料,具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱4 陳治明碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題[A]中國電工技術學會電力電子學會...碳化硅 同質外延 化學氣相淀積 缺陷 【摘要】: 本文對同質外延碳化硅單晶材料的生長機理和生長層的表征方法進行了研究。研究了n型4HSiC當磁場平行于生長軸且電

碳化硅 制造裝備 寬禁帶半導體 【摘要】:當前碳化硅產業的快速發展對裝備國產化提出了更高的要求>袁呂軍 >于開坤 >鄭有 >歐東斌 >趙世璽 >陳治明快捷...綜述SurveyLecture《電力電子》2007年4期碳化硅功率器件及其應用的研發進展TheRecentDevelopmentalProgressonSiCPowerDevicesandItsAppliions

論文作者簽名弛導師簽名 忿芝' 渺伍年莎月咖a 摘要論文題目:學科:作者:導師:碳化硅晶體生長過程中的擴徑與缺陷控制微電子學與固體電子學林生晃簽名...5 楊鶯陳治明陳勇臻碳化硅晶體缺陷的研究[A]第十六屆全國半導體物理學術會議論文摘要集[C]2007年 6 張磊玉芳馮敏曹學偉扶手椅型碳化硅納米管電子結