世紀金光憑借"公斤級高純碳化硅粉的制備方法",喜獲"中國好"提名獎。 據悉,此次"交通銀行杯中國好"的專家團,由中國工程院倪光南院士為科學家,匯聚...馬可波羅網(makepolo)提供技術配方)生產碳化硅工藝配方含原料配比),產品詳情:所在地:本溪市、服務內容:,技術,配方,工藝,資料,文獻,更多產

本發明技術資料屬于碳化硅晶體生長技術領域,具體涉及一種生長碳化硅晶體的裝置,包括坩堝蓋和坩堝,坩堝蓋下部設有籽晶托,籽晶托上粘有籽晶,坩堝壁...人民網濟南12月15日電12月13日上午,山東省人民政府新聞辦公室召開新聞發布會,公布山東省首批15項關鍵核心技術知識產權。中國寬禁帶功率半導體產業聯盟

五耐集團發明包括微孔剛玉磚、碳復合磚、微孔模壓炭塊、微孔鋁碳磚、鐵水預處理用鋁碳化硅碳磚、耐酸磚、低蠕變系列耐材等10項,為國內煉鐵系統耐材龍頭企業...本技術資料提供一種在采用熱CVD法進行的SiC薄膜的外延生長中能夠提高摻雜密度的面內均勻性、并且使SiC薄膜以均勻的膜厚生長的方法。所述方法為碳

而基本半導體的碳化硅二極管即是采用了Asron開發的3DSIC?技術,該技術可以令二極管器件在擁有碳化硅材料優勢的同時,降低30%功耗并提高電流密度和可...5小時,燒結得到碳化硅加碳復相陶瓷密封材料。 [0006] 如中國發明申請(申請[0010] 為了解決上述碳化硼碳化硅陶瓷制備中存在的技術問題,本發明的個目的

本發明涉及碳化硅冶煉,特別涉及一種。背景技術工業用碳化硅于1891年研制成功,是早的人造磨料。在隕石和地殼中雖有少量碳化硅存在,但迄今尚未找到可...nbspSEMICONDUCTOR)創始人、總經理、技術總監黃興在本次路演中介紹,公司已布局核心14項,其中已授權3項,另掌握碳化硅與氮化鎵的全套工藝菜單等重要

名稱 一種籽晶處理方法和生長碳化硅單晶的方法 在所述有機物中碳元素的質量百分比大于50%然后將...該區域內的碳顆粒本身非常蓬松,密度較小,很容易被此提供了一種高質量碳化硅晶體生長的方法和裝置,

碳化硅(SiC)是一種廣泛使用的老牌工業材料,1893年已經開始大規模生產了,今一直在使用。不過自然界中很難找到碳化硅,在隕石中的礦物...該技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得權人授權。該全部3)在碳陶剎車盤胚體表面通過CVI工藝沉積一層純碳化硅(終表面

3.名稱:一種雙溝槽的低導通電阻、小柵電荷的碳化硅MOSFET器件與制備方法 申請號:201710781888.0 發明人:張安平田凱祁金偉楊明超陳家玉旭輝...名稱:碳碳化硅坩堝及其制作工藝的制作方法 技術領域:本發明涉及一種單晶爐用碳和碳化硅復合坩堝及其制作工藝。 背景技術:目前,單晶爐用坩堝基本由石墨制造,沿軸

半導體所有效 序號 申請號 發明名稱 發明人 所9 ZL.200610011228.6 碳化硅襯底氮化鎵高電子遷移率晶體52 ZL.201010141024.0 采用金屬源化學...本發明具體涉及一種帶有碳化硅摩擦功能層C/C?SiC通風剎車盤的制備工藝。該工藝不僅步驟簡單、適用于大批量生產,同時在剎車盤摩擦功能層內部是由氣相

34、可加工羥基磷灰石+鈦硅碳生物陶瓷復合材料的制備每項技術資料均為國家正式全文說明書。含0427·碳化硅陶瓷技術 碳化硅陶瓷生...( 19 )中華人民 共和國國家知識產權局 ( 12 )發明申請 (21)申請號 所述制備方法包括將碳化硅漿料均勻噴涂或涂 布在碳纖維氈和碳纖維布表面,然

公告顯示,經與中國科學院物理研究所協商,天科合達擬現金出資購買中國科學院物理研究所獨有以及與公司共有的碳化硅相關,該部分無形資產評估價值102...碳化硅,碳磚及其制造方法47CN2一種碳化硅匣缽磚生產工藝48CN2一種黑和綠碳化硅"硅磚硅質耐火磚制備加工生產工藝流程方法/配方技術資料集"詳細介紹,包括

據碳化硅陶瓷膜團隊教授、湖北省環境材料與膜技術工程技術研究主任徐慢介紹,2017年2月,以團隊研發的8項碳化硅陶瓷膜技術及,作價2128萬元技術...類型 發明 權利人 中國科學院金屬研究所 中文摘要 本發明涉及耐超高溫陶瓷及其制備技術,特別提供了一種鋯鋁硅碳碳化硅復合材料,以及原位反應熱壓制備鋯

中國文獻CN103630708A公開了一種本發明涉及一種辨別碳化硅晶片硅碳面的方法,該方法用原子力顯微鏡測試化學拋光后的碳化硅晶片表面,根據表面的粗糙度數值確定碳硅面...中國運載火箭技術研究院航天材料及工藝研究所研發的"一種碳化硅/碳化硅復合材料構件的制備方法"獲國家發明。 采用化學氣相滲透法、漿料浸漬熱

天科合達的該項提出的改進物理物理氣相傳輸法工藝所生成的碳化硅芯片質量遠遠高于傳統方式生成的芯片...本技術資料提供了一種公斤級高純碳化硅粉的制備方法,步驟為,(1)將石墨坩堝鍍碳膜(2)將鍍過碳膜的石墨坩堝鍍碳化硅(3)將混合均勻后的硅粉、

C/SiC復合材料 分析 技術領域 分布 研發機構 【摘要】:針對碳纖維增韌碳化硅陶瓷基復合材料(C/Si C復合材料),檢索了相關文獻和,分析了...技術領域本發明涉及一種辨別碳化硅晶片硅碳面的方法,屬于碳化硅晶片制造領域。背景技術SiC作為第三代寬帶隙(Wide Bandgap Semiconductor,WBS)半導體材料的代表,其具有

聚碳硅烷是碳化硅陶瓷的先驅體聚合物,是制備碳化硅陶瓷基復合材料及其他碳化硅材料的關鍵原材料,主要用于耐高溫、抗氧化的使用環境。上世紀80年代國防科技大學開始進行...一種碳/碳碳化硅陶瓷基復合材料的制備方法,其特征包括下述步驟: (a)用碳纖維編制預制體,

菏澤碳化硅窯具_優質推薦鄒平奧翔硅碳供應,價格從優,期待與您合作。 名稱:碳化硅窯具及其制備工藝的制作方法技術領域:本發明涉及一種用于陶瓷爐窯...【摘要】本發明屬于碳化硅檢測領域,尤其涉及一種檢測碳化硅中碳化硅含量的方法。通過分析碳化硅中所含的結合碳來計算出碳化硅的含量,同時引入高頻紅外碳硫儀來方便